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BGSe

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BaGa4Se7 (硒鎵鋇),簡(jiǎn)稱(chēng)BGSe晶體屬于單斜P(pán)c(第7號(hào))空間群,其具有大的帶隙(2.64eV),寬的透光范圍(0.47~18μm),大的非線性效應(yīng)(d11=24.3 pm/V,d13=20.4 pm/V),適中的雙折射(Δn=0.06@2μm)和高的激光損傷閥值。BGSe晶體生長(zhǎng)性能良好,容易得到大尺寸高質(zhì)量單晶,適合用于高功率輸出。BGSe晶體可以被1~3μm的激光抽運(yùn),產(chǎn)生最高可達(dá)18 μm的中遠(yuǎn)紅外可調(diào)諧激光。

ZnGeP2相比,BGSe可用1μm激光源進(jìn)行抽運(yùn),且容易制備大口徑器件。BGSe是目前對(duì)成熟1μm激光進(jìn)行頻率下轉(zhuǎn)換輸出中遠(yuǎn)紅外激光性能最佳的非線性光學(xué)晶體。

特點(diǎn)

  • 透明波段寬
  • 非線性系數(shù)高
  • 熱導(dǎo)率高
  • 較大波段相位匹配
  • 抗光損傷閾值高
  • 覆蓋3-5μm和8-14μm兩個(gè)重要大氣窗口
  • 良好的機(jī)械性,易于加工
  • 1064nm泵浦沒(méi)有雙光子吸收效應(yīng)

基本特性

化學(xué)式BaGa4Se7
晶系單斜晶系,點(diǎn)群m,空間群Pc
晶胞參數(shù)a=7.6252(15)?,b=6.5114(13)?,c=14.702(4)?,β=121.24(2),Z=2
透光范圍0.47-18μm
非線性系數(shù)d11?=?24?pm/V
雙折射0.07@2μm
損傷閾值(μm,?5ns?)550MW/cm2
帶隙2.64eV
Sellmeier方程nx2=5.952953+0.250172/(λ2-0.081614)-0.001709λ2
ny2=6.021794+0.256951/(λ2-0.079191)-0.001925λ2
nz2=6.293976+0.282648/(λ2-0.094057)-0.002579λ2

加工參數(shù)

定向精度<+-0.1°
表面光潔度60/40?per?MIL-O-13830A
面型λ/8@632.8nm?for?T>=1mm
通光面公差+0/-0.1mm
長(zhǎng)度公差±0.1mm
平行度30?″
垂直度9910′
倒邊<0.2mm×45°

光譜

非線性晶體BGSe透過(guò)率-南京光寶-CRYLINK非線性晶體BGSe透過(guò)率2-南京光寶-CRYLINK
2mm晶體切片(001)透光率曲線8mm透光率曲線
非線性晶體BGSe相位匹配-南京光寶-CRYLINK
基于BaGa4Se7晶體的太赫茲差頻過(guò)程相位匹配條件

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