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HGTR-KTP電光晶體

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HGTR-KTP電光晶體

HGTR-KTP晶體，又稱為高抗灰跡磷酸氧鈦鉀晶體，是一種綜合性能優(yōu)良的電光晶體。HGTR-KTP（高抗灰跡KTP）電光晶體具有優(yōu)良性能的非線性光學(xué)特性，容許溫度匹配和容許角度匹配范圍大，抗灰跡、抗光損傷閾值高，化學(xué)、機(jī)械性能穩(wěn)定等特性，HGTR-KTP電光晶體主要用于釹激光的二倍頻產(chǎn)生綠光以及用于集成NLO和EO設(shè)備的光波導(dǎo)。同時(shí)可用于激光倍頻、和頻、差頻、參量振蕩以及光波導(dǎo)器件、電光調(diào)制器、電光開關(guān)和脈沖拾取等相關(guān)領(lǐng)域，在軍事科研、醫(yī)療、海洋光學(xué)、激光武器和環(huán)境遙感監(jiān)測(cè)等領(lǐng)域具有廣泛的應(yīng)用。

特點(diǎn)：

  • 1064nm和532nm的低吸收；
  • 比普通KTP (5X-10X)更高的耐灰跡性；
  • 比普通KTP效率更高；
  • 寬溫度帶寬；
  • 具有競(jìng)爭(zhēng)力價(jià)格的高品質(zhì)晶；
  • 非吸濕性、化學(xué)和機(jī)械穩(wěn)定性；
  • 高導(dǎo)熱性；

晶體規(guī)格

材料HGTR-KTP晶體
光圈范圍從2×2mm到10×10mm
涂層增強(qiáng)現(xiàn)實(shí)/增強(qiáng)現(xiàn)實(shí)；R<0.2%@1064nm
損傷閾值>600MW/cm2 @1064nm,10ns
消光比>20dB
光傳播>98.5%
波前畸變 <λ/8 @1064nm

晶體特性

材料HGTR-KTP晶體
尺寸公差（W ±0.1mm)× (H± 0.1mm)× (L+0.5/-0.1mm)
尺寸范圍孔徑:~10 ×10mm; 長(zhǎng)度：~15mm
清晰光圈中心90%
晶體散射用50mW綠色激光檢查時(shí)沒(méi)有可見(jiàn)的散射路徑或中心
平整度<λ/8 @633nm
傳輸波前畸變<λ/8 @633nm
倒角 ≤0.2mm @45°
表面質(zhì)量10/5 S/D
并行度≤20弧秒
垂直度≤5弧分
角度公差≤0.25°
涂層AR/AR@1064nm 兩端面

譜圖

電光晶體H-KTP吸收系數(shù)-南京光寶-CRYLINK電光晶體H-KTP透過(guò)率-南京光寶-CRYLINK
電光晶體H-KTP吸收系數(shù)電光晶體H-KTP透過(guò)率

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