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RTP普克爾盒

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RTP普克爾盒

RTP(RbTiOPO4)普克爾盒,又稱磷酸鈦氧銣普克爾盒,是一種綜合性比較優良的普克爾盒器件,廣泛地應用于激光的電光調制、脈沖整形和激光內腔調Q等激光技術領域之中。RTP普克爾盒具有更高的電光性能、擁有大電光系數、高抗光傷閾值、極好的化學穩定性、高電阻率、低壓電效應和不易潮解等優良特性,與其他電光材料相比,RTP(磷酸鈦氧銣)普克爾斯電池具有許多優點:不吸濕、低開關電壓、消光比好、無壓電和熱電效應,可以運用在RTP Q開關或RTP脈沖選擇器等領域之中。

特點

  • 高電阻率;
  • 高消光比;
  • 低半波電壓;
  • 高抗光損傷閾值;
  • 使用溫度-50~70 ℃,無需溫控;
  • 適用于高頻操作,最高開關頻率可達1 MHz;
  • 適用波長:450 nm – 3 μm,器件消光比 >23 dB;
  • 動態、靜態半波電壓基本一致,易于安裝和調節;
  • 晶體損傷閾值達1 GW/cm2 @ 1064 nm, 10 ns脈寬;
  • 晶體內部質量好,光學吸收低,雙晶體的總體透光率>5%;
  • 在高頻工作時,極低的振鈴效應,遠遠低于BBO電光Q的振鈴效應;
  • 晶體不潮解,介電常數低,優良的電學穩定性,可長期承受外加電壓;
  • 小巧的外形和較低的操作電壓,使其更適于新型的光纖與碟片激光器應用;
  • 雙晶體總的電容量很小,5 mm長晶體的總電容量為2-3 pF或10 mm長晶體的總電容量為3-4 pF,可實現脈沖上升/下降時間:5-5 ns;

普克爾盒規格

工作范圍500-3000nm
透過率>98.5%
消光比30dB
接受角<4°
標準增透膜R<0.1% @1064nm
損傷閾值600MW/cm2 10ns 10Hz @1064nm

普克爾盒參數

1064nm傳輸率>98.5%
可用孔徑3,4,5,6,7,8,9,10,11,12mm
1064nm半波電壓1000V(3×3×10+10)
消光比>23dB
接受角>1°
損傷閾值>600MW/cm2 10ns @1064nm
穩定性能溫度范圍-50℃~+70℃
1064nm靜態半波電壓4x4x20mm: 1600V
6x6x20mm: 2400V
9x9x20mm: 3600V
電光常數r33=38.5pm/VY切
r33=35pm/VX切
r23=12.5pm/V
r13=10.6pm/V

結構圖

電光器件RTP普克爾盒結構圖-南京光寶-CRYLINK電光器件RTP普克爾盒結構圖2-南京光寶-CRYLINK

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