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CdSe

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CdSe

硒化鎘(CdSe)晶體為Ⅲ-Ⅰ簇化合物半導體,具有寬的紅外透明波段(0.75~25μm)、大的非線性系數(shù)(d31=18 pm/V)和適宜的雙折射,同時,CdSe晶體還具有化學穩(wěn)定性好、不潮解、機械強度適中、加工性能好等優(yōu)點,可在紅外波段進行頻率轉(zhuǎn)換,是一種性能優(yōu)異的紅外非線性光學材料。可用于制備紅外非線性光學器件。

特點

  • 寬透光度范圍
  • 很大的非線性
  • 小的走離角
  • 低光吸收
  • 寬帶特定傳輸范圍:6μm至2.5μm
  • 激光損傷閾值高
  • 機械性能好
  • 小的離場角

基本參數(shù)

結(jié)構(gòu)六方晶系,6mm
密度:5.81 g/ cm3
楊氏模量5×1011?dyne/cm2
熱膨脹系數(shù)(500 K)a1=6.26×10-6/K;
a3=4.28×10-6/K
比熱0.49 J/(g?K)
熱導率?(@ 25?°C)0.04 W/cmK
最大透過率(λ?=2.5-15?μm )≥?71 %
吸收系數(shù). (λ?=10.6?μm )≤?0.0015 cm-1?(包括 2個表面)
折射率(λ?=10.6?μm )2.4258 (no),?2.4437 (ne)
Sellmeier方程@T=293 K(λ in μm)no2=4.2243+1.7680λ2/(λ2-0.2270)+3.1200λ2/?(λ2?- 3380);
ne2=4.2009+1.8875λ2/(λ2-0.2171)+3.6461λ2/?(λ2?- 3629)
莫氏硬度3.25
損傷閾值60MW/cm2@10.6μm ,200 ns
透明范圍0.7-24μm
光學對稱性正單軸(ne>no)
晶格參數(shù)?a=4.2985,
c=7.0150
電阻率低阻: < 1 Ohm*cm?
高阻: > 1011?Ohm*cm
導熱系數(shù)6,9 (||c) Wm-1K-1, 6,2 (⊥c) Wm-1K-1
熔點1240℃
帶隙1.74eV
非線性系數(shù)d31?= 18 pm/V

光譜

CdSe透射曲線CdSe吸收曲線
CdSe透射曲線CdSe吸收曲線

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