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BBO晶體原理及其生長方法的相關(guān)概述

  β-BaB2O4,BBO晶體-具有較大的雙折射和低的色散,溫度穩(wěn)定性好(大約55℃的溫度接收角)。BBO晶體的吸收系數(shù)在近紅外波段較低,有著較高的抗損傷閾值,BBO晶體的潮解性低,能夠在較為寬松的環(huán)境中實驗與之后的保存,是實驗室常用于倍頻的晶體,下來光寶光電為您介紹一下關(guān)于BBO晶體原理的相關(guān)說明。

  BBO晶體的倍頻參數(shù)

  通過小信號的求解過程發(fā)現(xiàn),在倍頻的過程中,若滿足-

  △k=k1+k2-k3=0

  則可獲得最大的倍頻效率,該條件被稱為相位匹配條件。

  倍頻轉(zhuǎn)換效率提高不僅需要滿足相位匹配,最重要的是晶體中有效非線性系數(shù)的選取。

  相位匹配條件需要滿足嚴(yán)格的相位匹配條件,即滿足△k=0,可是在實際應(yīng)用中,光束均存在一定大小的發(fā)散角以及線寬,除此之外,由于環(huán)境溫度一直處在不斷變化中導(dǎo)致在研究過程中晶體的環(huán)境溫度會受到一定的影響,因此很難完全的滿足相位匹配條件,或多或少的存在一些△k,使得非線性相互作用被削減。

  假設(shè)晶體長度為l,只要滿足

  

  還是允許的,換句話說,只要k滿足上式,在此范圍內(nèi)得到的光束發(fā)散角、光束的線寬、晶體溫度變換等一系列參量對于非線性相互作用,是允許存在的。允許角度,也可以稱之為接收角.

  BBO晶體的幾種生長方法

  1.頂部籽晶法是可以應(yīng)用于BBO晶體生長的方法,已報道過多種生長BBO晶體的助熔劑體系。

  2.Czochralski法:與助熔劑法相比,Czochralslki(Cz)方法具有以下優(yōu)點:生長速度快(生長速度為助熔劑法生長速率的幾十倍甚至上百倍)、可避免助熔劑雜質(zhì)帶來的污染、能在較小的坩堝中生長出較大直徑的晶體。

  三、BBO晶體的常規(guī)鍍膜膜系

  1、有效的防護(hù)鍍膜(P-coating)來防止晶體受潮。

  2、單頻和雙頻防反射鍍膜。雙頻防反射鍍膜具有低反射比,高損傷閾值,防潮,使用壽命長的特點。

  以上就是關(guān)于BBO晶體原理的相關(guān)介紹,BBO晶體的結(jié)晶質(zhì)量評估方法,用錐光干涉圖和搖擺曲線評估獲得的BBO晶體的質(zhì)量,如果您想要了解更多關(guān)于BBO晶體的相關(guān)說明,可以隨時致電:025-68790685。

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