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KDP&DKDP電光晶體

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KDP&DKDP電光晶體

KDP&DKDP(KD*P)晶體,又稱為磷酸二氫鉀晶體和磷酸二氘鉀晶體,是一種綜合性比較優良的電光晶體產品。在激光變頻、電光調制和電光快速開關等高科技領域有廣泛的應用。KDP和DKDP(KD*P)晶體有高抗光損傷閾值、優越的電光系數、對環境的耐受性好、緊湊設計和便與調節等優點,可以用在制造低成本和大尺寸成品非線性元件,適用于二倍頻(SHG)和三倍頻(THG)領域之中。KDP晶體主要用作壓電晶體、電光晶體,用來制造聲吶、壓電換能器、電光調制器、光開關等產品。隨著激光產業蓬勃發展,KDP晶體的優良非線性光學特性被重視,開始作為頻率轉換晶體使用,應用于激光器制造領域,可用作Nd:YAG(摻釹釔鋁石榴石)激光器的二、三、四倍頻器件。除此之外,KDP晶體還可以應用在激光誘導核聚變工程中。鑒于DKDP的優良特性,其主要應用于兩個方面:1.?DKDP晶體作為電光晶體,用于制作電光調制器等。2.?DKDP晶體做為非線性晶體,用于制作大口徑,高能量激光倍頻器。

特點:

  • 緊湊設計
  • 便于調節
  • 無靜態雙折射
  • 無光折射損害
  • 高抗光損傷閾值
  • 優越的電光系數
  • 對環境的耐受性好

晶體規格

尺寸公差±0.1mm
平面度<λ/8 @633nm
光潔度20/10
平行度<20弧秒
垂直度<5弧分
角度公差±0.2°
有效孔徑中央直徑大于90%

晶體特性

晶體KDPKD*P
分子式KH2PO4KD2PO4
透過波段180-1550nm200-2150nm
非線性系數d36=0.44pm/Vd36=0.40pm/V
折射率no=1.4938,ne=1.4599no=1.4948,ne=1.4554
電光系數r41=8.8pm/Vr41=8.8pm/V
r63=10.3pm/Vr63=25pm/V
對稱性42m42m
吸濕性
密度(g/cm3)2.3322.355
縱向半波電壓Uπ =7.65KV(λ=546nm)Uπ=2.98KV(λ=546nm)
損傷閾值>5GW/cm2>3GW/cm2
消光比30dB30dB

譜圖

電光晶體KDP和DKDP譜圖-南京光寶-CRYLINK

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