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ZnSe+Cr:ZnSe+ZnSe

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ZnSe+Cr:ZnSe+ZnSe

我司ZnSe+Cr:ZnSe+ZnSe鍵合晶體,是在Cr:ZnSe兩端鍵合純ZnSe形成的鍵合晶體,可以有效的改善Cr:ZnSe激光的綜合性能。

Cr:ZnSe的熱傳導系數為14W/cm/°K@ 20°C,ZnSe晶體的熱導率為18W/m/K,兩端鍵合形成ZnSe+Cr:ZnSe+ZnSe鍵合晶體,可以有效改善Cr:ZnSe晶體的熱效應,降低激光泵浦時形成的熱透鏡效應,改善激光的光束質量,并能提升激光器的輸出能力穩定性,提升激光器的使用壽命。可調性廣泛(從2.1-3.1μm發射),增大增益截面(σ發射?9 × 10-19 cm2)以及激發態吸收的最小問題(不允許上能級激發態的自旋躍遷)等優點。

芯飛睿使用表面活化鍵合技術,是一種低溫或者常溫下的鍵合技術,典型特征是表面清洗和表面活化。在鍵合前,通過快原子或者離子束對鍵合表面的轟擊,可以有效的增加鍵合強度,實現對無機材料、金屬、半導體材料間的高質量鍵合。與高溫熱鍵合方法相比,表面活化鍵合技術鍵合結合力界面較高、光吸收損耗和面形變化控制相對而言更優,而熱擴散鍵合表面的雜質去不掉,被鍵合在結合面。表面活化鍵合技術有去除各種拋光的殘留成分、去除有機污染物、去除表面氧化層和打斷材料化學鍵,提升活化能等優點。

生產的ZnSe+Cr:ZnSe+ZnSe鍵合晶體的鍵合強度高、鍵合面吸收損耗小(一般小于20ppm)、鍵合面面形變化小(鍵合后面形<lamda/8)。鍵合晶體的形狀可以是棒狀、板狀、波導或者三明治形狀。在鍵合晶體兩端可以提供多種類型的鍍膜,如兩個端面增透膜AR@2300~2500nm等。ZnSe+Cr:ZnSe+ZnSe鍵合晶體廣泛的應用于光通信、污染氣體檢測、工業燃燒產物測試等領域。

ZnSe+Cr:ZnSe+ZnSe

ZnSe+Cr:ZnSe+ZnSe
MaterialsZnSeCr:ZnSeZnSe
concentrations/(1~9)*1018/cm3/
StructureRods/Slabs/Sandwich/Waveguide/
End-face ConfigurationFlat/Convex/Wedge
Side ConfigurationPolish/Fine Ground
Coating availableAR@2300~2500nm/AR@2300~2500nm
others/others

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